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HGTG7N60A4

更新时间： 2024-11-08 22:23:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	199K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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HGTG7N60A4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.2	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	34 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	205 ns
标称接通时间 (ton)：	17 ns	Base Number Matches：	1

HGTG7N60A4 数据手册

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4

HGTP7N60A4

Data Sheet

August 2003

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

Features

The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4

are MOS gated high voltage switching devices combining

the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These

devices have the high input impedance of a MOSFET and

the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The

much lower on-state voltage drop varies only moderately

• >100kHz Operation at 390V, 7A

• 200kHz Operation at 390V, 5A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75ns at T = 125 C

• Low Conduction Loss

between 25 C and 150 C.

This IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at high frequencies where low

conduction losses are essential. This device has been

optimized for high frequency switch mode power supplies.

Formerly Developmental Type TA49331.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

HGT1S7N60A4S9A

HGTG7N60A4

PACKAGE

BRAND

7N60A4

TO-263AB

TO-247

7N60A4

HGTP7N60A4

TO-220AB

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

JEDEC TO-220AB

COLLECTOR

(FLANGE)

COLLECTOR

(BOTTOM SIDE METAL)

JEDEC TO-263AB

COLLECTOR

(FLANGE)

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4 Rev. B1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG7N60A4D	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4D	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4D	ONSEMI	获取价格	600V, SMPS IGBT
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HGTH12N40C1	INTERSIL	获取价格	10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTH12N40C1D	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,400V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC
HGTH12N40E1	INTERSIL	获取价格	10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTH12N40E1D	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,400V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC
HGTH12N50C1	INTERSIL	获取价格	10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTH12N50C1D	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC

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