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HGTG40N60B3_NL

更新时间： 2024-09-17 21:20:03

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	115K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

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HGTG40N60B3_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	175 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	290 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	385 ns
标称接通时间 (ton)：	82 ns	Base Number Matches：	1

HGTG40N60B3_NL 数据手册

HGTG40N60B3

Data Sheet

November 2004

File Number

70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. The device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

• 70A, 600V, T = 25 C

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

moderately between 25 C and 150 C.

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49052.

Ordering Information

COLLECTOR

(FLANGE)

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G40N60B3

HGTG40N60B3

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG40N60B3 Rev. B3

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG40N60B3_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG40N60C3	INTERSIL	获取价格	75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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HGTG40N60C3R	ROCHESTER	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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HGTG5N120BND	INTERSIL	获取价格	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND	RENESAS	获取价格	21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND	ONSEMI	获取价格	1200V，NPT IGBT
HGTG5N120BND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3
HGTG5N120CND	INTERSIL	获取价格	25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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