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HGTG40N60B3 PDF预览

HGTG40N60B3

更新时间： 2024-09-18 11:13:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网栅瞄准线双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
10页 400K
描述
600V，PT IGBT

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HGTG40N60B3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：7.02Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：385 ns标称接通时间 (ton)：82 ns
Base Number Matches：1

HGTG40N60B3 数据手册

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UFS Series N-Channel IGBT  
70 A, 600 V  
HGTG40N60B3  
The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching device  
combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The  
device has the high input impedance of a MOSFET and the low  
on−state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower  
on−state voltage drop varies only moderately between 25°C and  
150°C.  
www.onsemi.com  
C
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at moderate frequencies where low conduction losses are  
essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and  
drivers for solenoids, relays and contactors.  
G
Formerly Developmental Type TA49052.  
E
Features  
• 70 A, 600 V, TC = 25°C  
• 600 V Switching SOA Capability  
• Typical Fall Time: 100 ns at T = 150°C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS  
TO−247−3LD  
CASE 340CK  
Compliant  
Packing  
MARKING DIAGRAMS  
$Y&Z&3&K  
G40N60B3  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
Figure 1.  
G40N60B3 = Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
HGTG40N60B3  
Package  
Brand  
G40N60B3  
TO−24  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2020 − Rev. 4  
HGTG40N60B3/D  
1234567...10

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HGTG40N60B3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG20N60A4 ONSEMI

完全替代

 IGBT，600V，SMPS
HGTG20N60A4D ONSEMI

完全替代

 600V，SMPS IGBT
HGTG30N60A4 ONSEMI

类似代替

 IGBT，600V，SMPS

与HGTG40N60B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG40N60B3_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P
HGTG40N60C3 INTERSIL

获取价格

 		75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3 FAIRCHILD

获取价格

 		75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3R RENESAS

获取价格

 		75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG40N60C3R ROCHESTER

获取价格

 		75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND FAIRCHILD

获取价格

 		21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND INTERSIL

获取价格

 		21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND RENESAS

获取价格

 		21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND ONSEMI

获取价格

 		1200V，NPT IGBT
HGTG5N120BND_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3

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