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HGTG40N60A4_NL

更新时间： 2024-09-17 21:19:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	133K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247. 3 PIN

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HGTG40N60A4_NL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.16
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	95 ns
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	240 ns
标称接通时间 (ton)：	47 ns	Base Number Matches：	1

HGTG40N60A4_NL 数据手册

HGTG40N60A4

Data Sheet

August 2003

File Number

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG40N60A4 is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of a MOSFET and a

bipolar transistor. This device has the high input impedance

of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a

bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop

varies only moderately between 25 C and 150 C. This IGBT

is ideal for many high voltage switching applications

operating at high frequencies where low conduction losses

are essential. This device has been optimized for high

frequency switch mode power supplies.

• 100kHz Operation At 390V, 40A

• 200kHz Operation At 390V, 20A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . .55ns at T = 125

• Low Conduction Loss

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49347.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

40N60A4

HGTG40N60A4

TO-247

COLLECTOR

NOTE: When ordering, use the entire part number.

(BACK METAL)

Symbol

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG40N60A4 Rev. B2

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG40N60A4_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG40N60B3	INTERSIL	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3	FAIRCHILD	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3	HARRIS	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3	ONSEMI	获取价格	600V，PT IGBT
HGTG40N60B3_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P
HGTG40N60C3	INTERSIL	获取价格	75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3	FAIRCHILD	获取价格	75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3R	RENESAS	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG40N60C3R	ROCHESTER	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND	FAIRCHILD	获取价格	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

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