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HGTG40N60B3

更新时间： 2024-11-06 21:54:27
品牌 Logo 应用领域
哈里斯 - HARRIS 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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HGTG40N60B3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：8.18最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：200 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：290 W
最大功率耗散 (Abs)：290 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：435 ns
标称断开时间 (toff)：350 nsVCEsat-Max：2 V

HGTG40N60B3 数据手册

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S E M I C O N D U C T O R  
HGTG40N60B3  
PRELIMINARY  
70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT  
May 1995  
Features  
Package  
• 70A, 600V at TC = +25oC  
JEDEC STYLE TO-247  
E
C
• Square Switching SOA Capability  
• Typical Fall Time - 160ns at +150oC  
• Short Circuit Rating  
G
• Low Conduction Loss  
Description  
The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching  
device combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. The device has the high input impedance of a  
MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar  
transistor. The much lower on-state voltage drop varies only  
moderately between +25oC and +150oC.  
Terminal Diagram  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
C
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
G
PACKAGING AVAILABILITY  
E
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
G40N60B3  
HGTG40N60B3  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
Formerly Developmental Type TA49052  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTG40N60B3  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
600  
600  
V
V
CES  
Collector-Gate Voltage, R = 1MΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
GE  
CGR  
Collector Current Continuous  
o
At T = +25 C (Package Limited) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
70  
40  
A
A
A
V
V
C
C25  
o
At T = +110 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
C110  
Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
330  
±20  
±30  
CM  
GES  
GEM  
Gate-Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate-Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
o
Switching Safe Operating Area at T = +150 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .SSOA  
160A at 0.8 BV  
C
CES  
o
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
290  
W
C
D
o
o
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
2.33  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-40 to +150  
C
J
STG  
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
260  
2
C
L
SC  
SC  
Short Circuit Withstand Time (Note 2) at V = 15V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
µs  
µs  
GE  
Short Circuit Withstand Time (Note 2) at V = 10V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
10  
GE  
NOTE:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
o
2. V  
= 360V, T = +125 C, R = 25Ω.  
CE(PK)  
C
GE  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.  
File Number 3943  
Copyright © Harris Corporation 1995  
9-3  
123456

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与HGTG40N60B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG40N60B3_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P
HGTG40N60C3 INTERSIL

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 		75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3 FAIRCHILD

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 		75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60C3R RENESAS

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 		75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG40N60C3R ROCHESTER

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 		75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND FAIRCHILD

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 		21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND INTERSIL

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 		21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND ONSEMI

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 		1200V，NPT IGBT
HGTG5N120BND_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3

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