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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG40N60A4
HGTG40N60A4 PDF预览

HGTG40N60A4

更新时间： 2024-09-16 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 177K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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HGTG40N60A4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：TO-247. 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：95 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：240 ns标称接通时间 (ton)：47 ns
Base Number Matches：1

HGTG40N60A4 数据手册

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HGTG40N60A4  
Data Sheet  
August 2003  
600V, SMPS Series N-Channel IGBT  
Features  
The HGTG40N60A4 is a MOS gated high voltage switching  
device combining the best features of a MOSFET and a  
bipolar transistor. This device has the high input impedance  
of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a  
bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop  
varies only moderately between 25 C and 150 C. This IGBT  
is ideal for many high voltage switching applications  
operating at high frequencies where low conduction losses  
are essential. This device has been optimized for high  
frequency switch mode power supplies.  
• 100kHz Operation At 390V, 40A  
• 200kHz Operation At 390V, 20A  
• 600V Switching SOA Capability  
o
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . .55ns at T = 125  
J
o
o
• Low Conduction Loss  
Packaging  
JEDEC STYLE TO-247  
E
C
G
Formerly Developmental Type TA49347.  
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
40N60A4  
HGTG40N60A4  
TO-247  
COLLECTOR  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
(BACK METAL)  
Symbol  
C
G
E
FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG40N60A4 Rev. B2  
12345678

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HGTG40N60A4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STGW40NC60WD STMICROELECTRONICS

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IRG4PC50UDPBF INFINEON

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与HGTG40N60A4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG40N60A4_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247. 3 P
HGTG40N60B3 INTERSIL

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 		70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3 FAIRCHILD

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HGTG40N60B3_NL FAIRCHILD

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 		75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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 		75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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