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HGTG30N60C3D_NL

更新时间： 2024-09-17 20:54:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	266K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG30N60C3D_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.1	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：	63 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	275 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	208 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	85 ns	Base Number Matches：	1

HGTG30N60C3D_NL 数据手册

HGTG30N60C3D

Data Sheet

January 2009

File Number 4041.2

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

Features

• 63A, 600V at T = 25 C

The HGTG30N60C3D is a MOS gated high voltage

switching device combining the best features of MOSFETs

and bipolar transistors. The device has the high input

impedance of a MOSFET and the low on-state conduction

loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage

drop varies only moderately between 25 C and 150 C. The

IGBT used is the development type TA49051. The diode

used in anti-parallel with the IGBT is the development type

TA49053.

• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications

operating at moderate frequencies where low conduction

losses are essential.

Formerly Developmental Type TA49014.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G30N60C3D

HGTG30N60C3D

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG30N60C3D Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG30N60C3D_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG32N60E2	INTERSIL	获取价格	32A, 600V N-Channel IGBT
HGTG34N100E2	INTERSIL	获取价格	34A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG40N6	HARRIS	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4	ONSEMI	获取价格	600V，SMPS IGBT
HGTG40N60A4_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247. 3 P
HGTG40N60B3	INTERSIL	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3	FAIRCHILD	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60B3	HARRIS	获取价格	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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