Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG30N60B3D_NL

HGTG30N60B3D_NL

更新时间： 2024-09-17 13:08:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
8页	218K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

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HGTG30N60B3D_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	150 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	208 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	365 ns	标称接通时间 (ton)：	56 ns
Base Number Matches：	1

HGTG30N60B3D_NL 数据手册

HGTG30N60B3

Data Sheet

November 2004

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG30N60B3 is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. This device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

• 60A, 600V, T = 25 C

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

moderately between 25 C and 150 C.

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49170.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G30N60B3

COLLECTOR

(FLANGE)

HGTG30N60B3

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG30N60B3 Rev. B3

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG30N60B3D_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG30N60C3	INTERSIL	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60C3D	HARRIS	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG30N60C3D	ROCHESTER	获取价格	63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG30N60C3D	INTERSIL	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG30N60C3D	FAIRCHILD	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG30N60C3D	ONSEMI	获取价格	600V, PT IGBT
HGTG30N60C3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG30N60C3D_NL	ROCHESTER	获取价格	63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG32N60E2	INTERSIL	获取价格	32A, 600V N-Channel IGBT
HGTG34N100E2	INTERSIL	获取价格	34A, 1000V N-Channel IGBT

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