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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 400 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 26 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 43 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTG30N120D2 | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 1200V N-Channel IGBT |
|
| HGTG30N60 | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| HGTG30N60A4 | INTERSIL |
获取价格 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
|
| HGTG30N60A4 | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，SMPS |
|
| HGTG30N60A4 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
|
| HGTG30N60A4D | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with |
|
| HGTG30N60A4D | INTERSIL |
获取价格 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
|
| HGTG30N60A4D | ONSEMI |
获取价格 |
600V，SMPS IGBT |
|
| HGTG30N60A4D_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P |
|
| HGTG30N60B3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
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