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HGTG30N60B3D

更新时间： 2024-11-08 11:15:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
9页	426K
描述
600V，PT IGBT

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HGTG30N60B3D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	7.03
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	365 ns
标称接通时间 (ton)：	56 ns	Base Number Matches：	1

HGTG30N60B3D 数据手册

UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast

Diode

60 A, 600 V

HGTG30N60B3D

www.onsemi.com

The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET

and the low on−state conduction loss of a bipolar transistor. The much

lower on−state voltage drop varies only moderately between 25°C and

150°C. The IGBT used is the development type TA49170. The diode

used in anti−parallel with the IGBT is the development type TA49053.

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications

operating at moderate frequencies where low conduction losses are

essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and

drivers for solenoids, relays and contactors.

Formerly Developmental Type TA49172.

Features

• 60 A, 600 V, T = 25°C

TO−247−3LD SHORT LEAD

CASE 340CK

• 600 V Switching SOA Capability

JEDEC STYLE

• Typical Fall Time 90 ns at T = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Hyperfast Anti−Parallel Diode

• This is a Pb−Free Device

MARKING DIAGRAM

$Y&Z&3&K

G30N60B3D

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

G30N60B3D = Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

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this data sheet.

Publication Order Number:

April, 2020 − Rev. 2

HGTG30N60B3D/D

12 3 4 5 6 7...9

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HGTG30N60B3D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG30N60A4	ONSEMI	类似代替	IGBT，600V，SMPS
HGTG20N60A4D	ONSEMI	类似代替	600V，SMPS IGBT
HGTG20N60B3D	ONSEMI	类似代替	600V，PT IGBT

与HGTG30N60B3D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG30N60B3D_04	FAIRCHILD	获取价格	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG30N60B3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P
HGTG30N60C3	INTERSIL	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60C3D	HARRIS	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG30N60C3D	ROCHESTER	获取价格	63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG30N60C3D	INTERSIL	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG30N60C3D	FAIRCHILD	获取价格	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG30N60C3D	ONSEMI	获取价格	600V, PT IGBT
HGTG30N60C3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG30N60C3D_NL	ROCHESTER	获取价格	63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

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