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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG20N60C3
HGTG20N60C3 PDF预览

HGTG20N60C3

更新时间： 2024-09-30 22:51:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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HGTG20N60C3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.11其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：45 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：210 ns门极发射器阈值电压最大值：6.3 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：164 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：28 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：388 ns
标称接通时间 (ton)：52 nsBase Number Matches：1

HGTG20N60C3 数据手册

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HGTG20N60C3, HGTP20N60C3,  
HGT1S20N60C3S  
Data Sheet  
December 2001  
45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT  
Features  
o
This family of MOS gated high voltage switching devices  
combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. These devices have the high input impedance of  
a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar  
transistor. The much lower on-state voltage drop varies only  
• 45A, 600V, T = 25 C  
C
• 600V Switching SOA Capability  
o
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at T = 150 C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Related Literature  
o
o
moderately between 25 C and 150 C.  
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Packaging  
Formerly developmental type TA49178.  
JEDEC STYLE TO-247  
E
C
G
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
G20N60C3  
HGTG20N60C3  
TO-247  
HGTP20N60C3  
TO-220AB  
TO-263AB  
G20N60C3  
G20N60C3  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
HGT1S20N60C3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-263AB variant in the tape and reel, i.e.,  
HGT1S20N60C3S9A.  
JEDEC TO-220AB (ALTERNATE VERSION)  
Symbol  
C
E
C
G
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
E
JEDEC TO-263AB  
COLLECTOR  
G
(FLANGE)  
E
INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B  
12345678

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HGTG20N60C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG11N120CND ONSEMI

功能相似

 1200 V NPT IGBT
HGTG20N60A4D ONSEMI

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 600V，SMPS IGBT
HGTG12N60A4D ONSEMI

功能相似

 600V，SMPS IGBT

与HGTG20N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG20N60C3D FAIRCHILD

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 		45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60C3D INTERSIL

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 		45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60C3D_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE P
HGTG20N60C3DR FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
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