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HGTG11N120CND

更新时间： 2024-09-11 11:16:07

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
10页	437K
描述
1200 V NPT IGBT

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HGTG11N120CND 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	7.03	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：	43 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	33 ns
Base Number Matches：	1

HGTG11N120CND 数据手册

NPT Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast

Diode

43 A, 1200 V

HGTG11N120CND

www.onsemi.com

The HGTG11N120CND is a Non− Punch Through (NPT) IGBT

design. This is a new member of the MOS gated high voltage

switching IGBT family. IGBTs combine the best features

of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input

impedance of a MOSFET and the low on−state conduction loss

of a bipolar transistor. The IGBT used is the development type

TA49291. The Diode used is the development type TA49189.

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications

operating at moderate frequencies where low conduction losses are

essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies

and drivers for solenoids, relays and contactors.

Formerly Developmental Type TA49303.

Features

• 43 A, 1200 V, T = 25 C

• 1200 V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time: 340 ns at T = 150 C

TO−247−3LD

CASE 340CK

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Thermal Impedance SPICE Model

MARKING DIAGRAMS

www.onsemi.com

• This is Pb−Free Device

$Y&Z&3&K

11N120CND

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Data Code (Year & Week)

= Lot

11N120CND = Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

Brand

HGTG11N120CND

TO−247

11N120CND

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Publication Order Number:

December, 2020 − Rev. 2

HGTG11N120CND/D

12 3 4 5 6 7...10

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HGTG11N120CND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG20N60A4	ONSEMI	类似代替	IGBT，600V，SMPS
HGTG20N60A4D	ONSEMI	类似代替	600V，SMPS IGBT
HGTG10N120BND	FAIRCHILD	类似代替	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

与HGTG11N120CND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG11N120CND_NL	ROCHESTER	获取价格	43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG11N120CND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG12N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
HGTG12N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG12N60A4D	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60A4D	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60A4D	ONSEMI	获取价格	600V，SMPS IGBT
HGTG12N60A4D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG12N60A4D_NL	ROCHESTER	获取价格	54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG12N60A4S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 54A I(C) \| TO-247AA

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