Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

更新时间： 2024-09-09 22:51:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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8页	243K
描述
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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HGTG12N60B3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	27 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	175 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	104 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	392 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

HGTG12N60B3 数据手册

HGTG12N60B3

Data Sheet

August 2003

27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

Features

This family of MOS gated high voltage switching devices

combine the best features of MOSFETs and bipolar

• 27A, 600V, T = 25 C

• 600V Switching SOA Capability

transistors. These devices have the high input impedance of

a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 112ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

moderately between 25 C and 150 C.

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly developmental type TA49171.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G12N60B3

HGTG12N60B3

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

COLLECTOR

(BOTTOM SIDE METAL)

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG12N60B3 Rev. C1

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG12N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG12N60B3D	INTERSIL	获取价格	27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60B3D	FAIRCHILD	获取价格	27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60C3D	FAIRCHILD	获取价格	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
HGTG12N60C3D	HARRIS	获取价格	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60C3D	INTERSIL	获取价格	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60C3D	ONSEMI	获取价格	24A，600V，UFS 串联 N 沟道 IGBT，带防并联 Hyperfast 二极管
HGTG12N60C3DR	ROCHESTER	获取价格	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTG12N60C3DR	RENESAS	获取价格	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG12N60D1	INTERSIL	获取价格	12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG12N60D1D	INTERSIL	获取价格	12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

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