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HGTG12N60C3D

更新时间： 2024-09-09 22:51:19
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哈里斯 - HARRIS 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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7页 106K
描述
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTG12N60C3D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.86其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HYPER FAST RECOVERY
最大集电极电流 (IC)：24 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：275000000000 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：270 ns
标称接通时间 (ton)：14 ns

HGTG12N60C3D 数据手册

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S E M I C O N D U C T O R  
HGTG12N60C3D  
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT  
with Anti-Parallel Hyperfast Diode  
January 1997  
Features  
Package  
• 24A, 600V at TC = 25oC  
JEDEC STYLE TO-247  
• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 210ns at TJ = 150oC  
• Short Circuit Rating  
E
C
G
• Low Conduction Loss  
• Hyperfast Anti-Parallel Diode  
Description  
The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching  
device combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. The device has the high input impedance of a MOS-  
FET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.  
The much lower on-state voltage drop varies only moderately  
o
o
between 25 C and 150 C. The IGBT used is the development  
type TA49123. The diode used in antiparallel with the IGBT is  
the development type TA49061.  
Terminal Diagram  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at moderate frequencies where low conduction losses  
are essential.  
C
PACKAGING AVAILABILITY  
G
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
G12N60C3D  
HGTG12N60C3D  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
Formerly Developmental Type TA49117.  
E
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTG12N60C3D  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
600  
V
CES  
Collector Current Continuous  
o
At T = 25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
24  
A
A
A
A
V
V
C
C25  
C110  
(AVG)  
o
At T = 110 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
12  
C
o
Average Diode Forward Current at 110 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
15  
Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
96  
±20  
CM  
GES  
GEM  
Gate-Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate-Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±30  
o
Switching Safe Operating Area at T = 150 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .SSOA  
24A at 600V  
104  
J
o
Power Dissipation Total at T = 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
W
C
D
o
o
Power Dissipation Derating T > 25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
0.83  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-40 to 150  
260  
C
J
STG  
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
C
L
SC  
SC  
Short Circuit Withstand Time (Note 2) at V = 15V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
4
µs  
µs  
GE  
Short Circuit Withstand Time (Note 2) at V = 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
13  
GE  
NOTE:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
o
2. V  
= 360V, T = 125 C, R = 25Ω.  
CE(PK)  
J
GE  
HARRIS SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:  
4,364,073  
4,417,385  
4,598,461  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
4,430,792  
4,605,948  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,443,931  
4,618,872  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,466,176  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,516,143  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,532,534  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,567,641  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,587,713  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.  
File Number 4043.1  
Copyright © Harris Corporation 1997  
3-35  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG12N60C3DR ROCHESTER

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