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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTG15N120C3 | INTERSIL |
获取价格 |
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTG15N120C3 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-247 |
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| HGTG15N120C3D | INTERSIL |
获取价格 |
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG18N120BN | FAIRCHILD |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTG18N120BN | INTERSIL |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTG18N120BN | ONSEMI |
获取价格 |
1200 V NPT IGBT |
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| HGTG18N120BN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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| HGTG18N120BND | INTERSIL |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG18N120BND | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，1200V，NPT |
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| HGTG18N120BND | FAIRCHILD |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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