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HGTG18N120BN

更新时间： 2024-09-15 11:13:59

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	410K
描述
1200 V NPT IGBT

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HGTG18N120BN 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.23	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
最大集电极电流 (IC)：	54 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	345 ns	标称接通时间 (ton)：	38 ns
Base Number Matches：	1

HGTG18N120BN 数据手册

IGBT - NPT

1200 V

HGTG18N120BN

Description

HGTG18N120BN is based on Non− Punch Through (NPT) IGBT

designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low conduction

losses are essential, such as: UPS, solar inverter, motor control and

power supplies.

www.onsemi.com

Features

• 26 A, 1200 V, T = 110°C

• Low Saturation Voltage: V (sat) = 2.45 V @ I = 18 A

• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . 140 ns at T = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• This Device is Pb−Free

TO−247−3LD

CASE 340CK

MARKING DIAGRAM

$Y&Z&3&K

G18N120BN

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

G18N120BN

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

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Publication Order Number:

February, 2020 − Rev. 3

HGTG18N120BN/D

12 3 4 5 6 7...10

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与HGTG18N120BN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG18N120BN_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG18N120BND	INTERSIL	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND	ONSEMI	获取价格	IGBT，1200V，NPT
HGTG18N120BND	FAIRCHILD	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND_07	FAIRCHILD	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG20N100D2	INTERSIL	获取价格	20A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG20N120	INTERSIL	获取价格	34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N120B3	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG20N120B3D	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247