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HGTG18N120BN_NL

更新时间： 2024-09-14 20:00:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	110K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG18N120BN_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.2	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
最大集电极电流 (IC)：	54 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	200 ns
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	390 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	22 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	345 ns
标称接通时间 (ton)：	38 ns	Base Number Matches：	1

HGTG18N120BN_NL 数据手册

HGTG18N120BN

Data Sheet

December 2001

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG18N120BN is a Non-Punch Through (NPT) IGBT

design. This is a new member of the MOS gated high

voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best

features of MOSFETs and bipolar transistors. This device

has the high input impedance of a MOSFET and the low

on-state conduction loss of a bipolar transistor.

• 54A, 1200V, T = 25 C

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

• Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

Packaging

Formerly Developmental Type TA49288.

JEDEC STYLE TO-247

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G18N120BN

HGTG18N120BN

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG18N120BN Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG18N120BN_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG18N120BND	INTERSIL	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND	ONSEMI	获取价格	IGBT，1200V，NPT
HGTG18N120BND	FAIRCHILD	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND_07	FAIRCHILD	获取价格	54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG20N100D2	INTERSIL	获取价格	20A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG20N120	INTERSIL	获取价格	34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N120B3	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG20N120B3D	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG20N120C3D	INTERSIL	获取价格	45A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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