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HGTG18N120BND_NL

更新时间： 2024-09-14 20:52:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	119K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG18N120BND_NL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.2
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	最大集电极电流 (IC)：	54 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	200 ns	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	390 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	22 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	345 ns	标称接通时间 (ton)：	38 ns
Base Number Matches：	1

HGTG18N120BND_NL 数据手册

HGTG18N120BND

Data Sheet

December 2001

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Features

• 54A, 1200V, T = 25 C

The HGTG18N120BND is a Non-Punch Through (NPT)

IGBT design. This is a new member of the MOS gated high

voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best

features of MOSFETs and bipolar transistors. This device

has the high input impedance of a MOSFET and the low on-

state conduction loss of a bipolar transistor.

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49304.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

18N120BND

HGTG18N120BND

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG18N120BND Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG18N120BND_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG20N100D2	INTERSIL	获取价格	20A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG20N120	INTERSIL	获取价格	34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N120B3	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG20N120B3D	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG20N120C3D	INTERSIL	获取价格	45A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N120CN	INTERSIL	获取价格	63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG20N120CND	INTERSIL	获取价格	63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N120CND	FAIRCHILD	获取价格	63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N120E2	INTERSIL	获取价格	34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N50C1D	INTERSIL	获取价格	20A, 500V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

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