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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 24 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 290 ns | 标称接通时间 (ton)： | 36 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTG12N60D1 | INTERSIL |
获取价格 |
12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode |
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| HGTG12N60D1D | INTERSIL |
获取价格 |
12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode |
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| HGTG15N120B3D | RENESAS |
获取价格 |
1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| HGTG15N120C3 | INTERSIL |
获取价格 |
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTG15N120C3 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-247 |
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| HGTG15N120C3D | INTERSIL |
获取价格 |
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG18N120BN | FAIRCHILD |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTG18N120BN | INTERSIL |
获取价格 |
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTG18N120BN | ONSEMI |
获取价格 |
1200 V NPT IGBT |
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| HGTG18N120BN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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