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HGTG12N60C3D

更新时间： 2024-09-11 11:14:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网栅瞄准线双极性晶体管功率控制二极管
页数 文件大小 规格书
9页 265K
描述
24A，600V，UFS 串联 N 沟道 IGBT，带防并联 Hyperfast 二极管

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HGTG12N60C3D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：7.62Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS最大集电极电流 (IC)：24 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：480 ns
标称接通时间 (ton)：30 nsBase Number Matches：1

HGTG12N60C3D 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
UFS Series N-Channel IGBT  
with Anti-Parallel Hyperfast  
Diode  
C
E
G
24 A, 600 V  
E
C
HGTG12N60C3D  
G
The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching  
device combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET  
and the low on−state conduction loss of a bipolar transistor. The much  
lower on−state voltage drop varies only moderately between 25°C and  
150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode  
used in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.  
This IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at moderate frequencies where low conduction losses are  
essential  
TO−247−3LD SHORT LEAD  
CASE 340CK  
JEDEC STYLE  
MARKING DIAGRAM  
Formerly Developmental Type TA49117.  
Features  
$Y&Z&3&K  
G12N60C3D  
• 24 A, 600 V at T = 25°C  
C
• Typical Fall Time 210 ns at T = 150°C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Hyperfast Anti−Parallel Diode  
• This is a Pb−Free Device  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
G12N60C3D = Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 7 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
September, 2021 − Rev. 3  
HGTG12N60C3D/D  
1234567...9

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与HGTG12N60C3D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG12N60C3DR ROCHESTER

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 		24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTG12N60C3DR RENESAS

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 		24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG12N60D1 INTERSIL

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 		12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG12N60D1D INTERSIL

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 		12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG15N120B3D RENESAS

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 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG15N120C3 INTERSIL

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HGTG15N120C3 RENESAS

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 		35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG18N120BN FAIRCHILD

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 		54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
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 		54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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