Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG12N60B3D

HGTG12N60B3D

更新时间： 2024-09-09 22:51:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快速恢复二极管
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8页	126K
描述
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTG12N60B3D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.11	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	27 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	175 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	104 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	392 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

HGTG12N60B3D 数据手册

HGTG12N60C3D

Data Sheet

December 2001

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Features

• 24A, 600V at T = 25 C

The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. The device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

moderately between 25 C and 150 C.The IGBT used is the

development type TA49123. The diode used in anti parallel

with the IGBT is the development type TA49061.

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 210ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential.

Formerly Developmental Type TA49117.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

G12N60C3D

HGTG12N60C3D

TO-247

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

Fairchild CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG12N60C3D Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG12N60B3D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG12N60C3D	FAIRCHILD	获取价格	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
HGTG12N60C3D	HARRIS	获取价格	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60C3D	INTERSIL	获取价格	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60C3D	ONSEMI	获取价格	24A，600V，UFS 串联 N 沟道 IGBT，带防并联 Hyperfast 二极管
HGTG12N60C3DR	ROCHESTER	获取价格	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTG12N60C3DR	RENESAS	获取价格	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG12N60D1	INTERSIL	获取价格	12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG12N60D1D	INTERSIL	获取价格	12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG15N120B3D	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG15N120C3	INTERSIL	获取价格	35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs

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