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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 54 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns | 标称接通时间 (ton)： | 33 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTG12N60A4S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-247AA |
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| HGTG12N60B3 | FAIRCHILD |
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27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
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| HGTG12N60B3D | INTERSIL |
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27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG12N60B3D | FAIRCHILD |
获取价格 |
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG12N60C3D | FAIRCHILD |
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24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE |
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| HGTG12N60C3D | HARRIS |
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24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG12N60C3D | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGTG12N60C3D | ONSEMI |
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24A，600V，UFS 串联 N 沟道 IGBT，带防并联 Hyperfast 二极管 |
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| HGTG12N60C3DR | ROCHESTER |
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24A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| HGTG12N60C3DR | RENESAS |
获取价格 |
24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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