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STGW50H65F

更新时间： 2024-02-28 04:30:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
9页	321K
描述
100A, 650V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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STGW50H65F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	650 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STGW50H65F 数据手册

STGW50H65F

50 A, 650 V field stop trench gate IGBT

Preliminary data

Features

■ Very high speed switching

■ Tight parameters distribution

■ Easy paralleling

■ Low thermal resistance

Applications

■ Photovoltaic inverters

TO-247

■ Uninterruptible power supply

■ Power factor correction

■ High switching frequency converters

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

Using advanced proprietary trench gate and field

stop structure, this IGBT leads to an optimized

compromise between conduction and switching

losses maximizing the efficiency for high

switching frequency converters. Furthermore, a

slightly positive V

temperature coefficient

CE(sat)

and a very tight parameter distribution result in an

easier paralleling operation.

Table 1.

Order code

STGW50H65F

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW50H65F

Tube

April 2011

Doc ID 018671 Rev 1

1/9

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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