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SIA430DJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 09:25:39

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威世 - VISHAY		/
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9页	226K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SIA430DJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.82
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-N3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19.2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIA430DJ-T1-GE3 数据手册

New Product

SiA430DJ

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^{b, c}

RoHS

12^a

0.0135 at V_GS= 10 V

0.0185 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

5.3 nC

10.8

- Small Footprint Area

APPLICATIONS

Load Switch

•

PowerPAK SC-70-6L-Single

Marking Code

A K X

Part # code

X X X

Lot Traceability

and Date code

2.05 mm

Ordering Information: SiA430DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

12^a

_C= 25 °C

12^a

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

12^{a, b, c}

10.1^{b, c}

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

12^a

2.9^{b, c}

19.2

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

12.3

P_D

Maximum Power Dissipation

3.5^{b, c}

2.2^{b, c}

- 55 to 150

260

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

5.3

6.5

Notes:

a. Package limited

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed

and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.

Document Number: 68685

S-81173-Rev. A, 26-May-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SiA431DJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SIA431DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.6 A, 20 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
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