是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-XDSO-F3 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 240 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.52 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.52 A | 最大漏源导通电阻: | 2.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-XDSO-F3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 15 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1.5 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 40.5 ns | 最大开启时间(吨): | 23.25 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SIA450DJ-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIA450DJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 | |
SIA453EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 | |
SiA456DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | |
SiA459EDJ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SiA461DJ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SiA462DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SiA466EDJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SIA467EDJ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SIA468DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SiA469DJ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |