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SIA443DJ-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 20:06:03

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威世 - VISHAY		/
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7页	110K
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Transistor

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SIA443DJ-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SIA443DJ-T1-E3 数据手册

New Product

SiA443DJ

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ)

TrenchFET^®Power MOSFET

- 9^a

0.045 at V_GS= - 4.5 V

0.063 at V_GS= - 2.5 V

0.088 at V_GS= - 1.8 V

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

RoHS

- 20

9 nC

COMPLIANT

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

APPLICATIONS

PowerPAK SC-70-6L-Single

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

Marking Code

B C X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

2.05 mm

P-Channel MOSFET

Ordering Information:

SiA443DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 9^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

- 9^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 6.7^{b, c}

- 5.4^{b, c}

- 20

- 9^a

- 2.7^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

9.8

P_D

Maximum Power Dissipation

3.3^{b, c}

2.1^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

t ≤ 5 s

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Steady State

6.5

8.1

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.

Document Number: 74474

S-80435-Rev. B, 03-Mar-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7

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SIA443DJ-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SIA443DJ-T1-GE3	VISHAY	类似代替	Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SIA431DJ-T1-GE3	VISHAY	功能相似	TRANSISTOR 9.6 A, 20 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM

与SIA443DJ-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIA443DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SiA4446DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIA444DJT	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA444DJT_11	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA444DJT-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SiA445EDJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SiA445EDJT	VISHAY	获取价格	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SiA446DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
SIA447DJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SIA447DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

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