是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-XDSO-N3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 15 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SiA4446DJ | VISHAY |
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N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
SIA444DJT | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIA444DJT_11 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIA444DJT-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SiA445EDJ | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SiA445EDJT | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SiA446DJ | VISHAY |
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET | |
SIA447DJ | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SIA447DJ-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SIA449DJ | VISHAY |
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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |