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SIA431DJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 21:04:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	225K
描述
TRANSISTOR 9.6 A, 20 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Power

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SIA431DJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N4	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.5	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	-20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	-12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	-30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	140 ns
最大开启时间（吨）：	75 ns	Base Number Matches：	1

SIA431DJ-T1-GE3 数据手册

New Product

SiA431DJ

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

Q_g(Typ.)

•

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

- 12^a

- 4

0.025 at V_GS= - 4.5 V

0.031 at V_GS= - 2.5 V

0.041 at V_GS= - 1.8 V

0.070 at V_GS= - 1.5 V

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

- 20

24 nC

•

100 % R_gTested

Material categorization: For definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

PowerPAK SC-70-6L-Single

Marking Code

B K X

X X X

Part # code

Lot traceability

and Date code

Ordering Information:

SiA431DJ-T4-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

SiA431DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

2.05 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 12^a

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 12^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 9.6^{b, c}

- 7.7^{b, c}

- 30

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

- 12^a

- 2.9^{b, c}

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

3.5^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

2.2^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

5.3

Maximum

Unit

t  5 s

Steady State

6.5

°C/W

Notes:

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.

Document Number: 65267

S12-1141-Rev. B, 21-May-12

www.vishay.com

For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SIA431DJ-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SIA443DJ-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SIA443DJ-T1-E3	VISHAY	功能相似	Transistor

与SIA431DJ-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIA432DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIA432DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIA433EDJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA433EDJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA436DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SiA4371EDJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA437DJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SiA440DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SiA441DJ	VISHAY	获取价格	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIA443DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor

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