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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 23.9 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.041 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN041-80YLX | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V 41 mΩ logic level MOSFET in LF |
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| PSMN045-100HL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 45 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduct |
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| PSMN045-80YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOS |
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| PSMN045-80YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOS |
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| PSMN047-100NSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 53 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020 package. Design |
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| PSMN050-80BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN050-80BS - N-channel 80 V 46 mΩ standard |
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| PSMN050-80PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V 50 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN057-200B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN057-200B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
|
| PSMN057-200B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin |
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