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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.16 | 雪崩能效等级（Eas）： | 462 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQB34N20LTM | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，31 A，80 mΩ，D2 |
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| FQB34N20LTM | FAIRCHILD |
功能相似 |
暂无描述 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN070-200B/T3 | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| PSMN070-200P | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN070-200P,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PSMN071-100NSE | NEXPERIA |
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N-channel 100 V, 81 mOhm standard level ‘ASFE |
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| PSMN072-100MSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 76 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in LFPAK33. Designed specif |
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| PSMN075-100MSE | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 71 m standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for PoE applic |
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| PSMN075-100MSE | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 71 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN075-100MSEX | NXP |
获取价格 |
PSMN075-100MSE - N-channel 100 V 71 mΩ standa |
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| PSMN085-150K | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN085-150K,518 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
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