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PSMN070-200P,127 PDF预览

PSMN070-200P,127

更新时间： 2024-09-14 15:48:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 154K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin

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PSMN070-200P,127 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：462 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN070-200P,127 数据手册

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PSMN070-200P  
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET  
Rev. 04 — 14 December 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in  
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for  
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Higher operating power due to low  
„ Suitable for high frequency  
applications due to fast switching  
characteristics  
thermal resistance  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC converters  
„ Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
VDS  
ID  
drain-source voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
200  
35  
V
drain current  
Tmb = 25 °C  
A
Ptot  
total power dissipation  
250  
W
Static characteristics  
RDSon  
drain-source on-state VGS = 10 V; ID = 17 A; Tj = 25 °C  
resistance  
-
-
60  
28  
70  
-
mΩ  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 35 A;  
VDS = 160 V; Tj = 25 °C  
nC  
 
 
 
 
 
1234567...13

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PSMN070-200P,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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