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Nexperia (安世) 更新时间：2024-04-09 19:03:30

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效和满足行业严苛要求的坚定承诺。

官网地址 >

型号	品牌	价格	文档	应用	描述

PMEG3030CER-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

PBSS5230T-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction

PBHV9540Z-Q	NEXPERIA	获取价格			500 V, 0.5 A PNP high-voltage low VCEsat transistorProduction

PMEG3030CER	NEXPERIA	获取价格			30 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

PESD2CANFD36UQC-Q	NEXPERIA	获取价格			Extremely low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction

BUK6D20-40E	NEXPERIA	获取价格			40 V, N-channel Trench MOSFETProduction

PESD2CANFD36LQB-Q	NEXPERIA	获取价格			Extremely low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction

PBHV9115Z-Q	NEXPERIA	获取价格			150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat transistorProduction

PESD30VF1BBL	NEXPERIA	获取价格			Bidirectional ESD protection diodeProduction

PMEG1020EJ-Q	NEXPERIA	获取价格			10 V, 2 A ultra low VF Schottky barrier rectifierProduction

BSS138AK-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

PMEG6020EXE-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, 2 A Schottky barrier rectifierProduction

PMEG3005EB-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 0.5 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction

BF621-Q	NEXPERIA	获取价格			PNP high-voltage transistorProduction

PESD24VS5UD-Q	NEXPERIA	获取价格			Fivefold ESD protection diode arrayProduction

PMEG3030EXE-Q	NEXPERIA	获取价格			30 V, 3 A Schottky barrier rectifierProduction

XS5A1T4157GW-Q100	NEXPERIA	获取价格			Low-ohmic single-pole double-throw analog switchProduction

2N7002AKS-Q	NEXPERIA	获取价格			60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction

BAV99QB	NEXPERIA	获取价格			Dual series high-speed switching diodesProduction

PIMC31PAS-Q	NEXPERIA	获取价格			50 V, 500 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double

BF820W-Q	NEXPERIA	获取价格			NPN high voltage transistorProduction

PDTB114EU-Q	NEXPERIA	获取价格			50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorProduction

PIMC32PAS-Q	NEXPERIA	获取价格			50 V, 500 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double

BAV99QB-Q	NEXPERIA	获取价格			Dual series high-speed switching diodesProduction

PMBT3906YS-Q	NEXPERIA	获取价格			40 V, 200 mA PNP/PNP general-purpose double transistorProduction

MMBZ12VDL	NEXPERIA	获取价格			Double ESD protection diode for transient overvoltage suppressionProduction

PESD36VL2BT-Q	NEXPERIA	获取价格			ESD protection for in-vehicle networksProduction

PSMN1R0-100ASF	NEXPERIA	获取价格			NextPower 100 V, 0.99 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 packageDevelopment

PTVS5V0Z1UCL	NEXPERIA	获取价格			Transient Voltage SuppressorProduction

BAS21LL-Q	NEXPERIA	获取价格			High-voltage switching diodeProduction