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74AUP1G374GM

更新时间： 2024-01-29 06:12:15
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
21页 301K
描述
Low-power D-type flip-flop; positive-edge trigger; 3-stateProduction

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74AUP1G374GM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SON
包装说明：1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6针数：6
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.22系列：AUP/ULP/V
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：1.45 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP最大频率@ Nom-Sup：70000000 Hz
最大I（ol）：0.0017 A湿度敏感等级：1
位数：1功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC6,.04,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：21.6 ns
传播延迟（tpd）：21.6 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.5 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.1 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：1 mm最小 fmax：360 MHz
Base Number Matches：1

74AUP1G374GM 数据手册

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74AUP1G374  
Low-power D-type flip-flop; positive-edge trigger; 3-state  
Rev. 11 — 14 July 2023  
Product data sheet  
1. General description  
The 74AUP1G374 is a single D-type flip-flop; positive-edge trigger (3-state). Schmitt-trigger action  
at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very  
low static and dynamic power consumption across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V. This  
device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables  
the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when it is  
powered down.  
2. Features and benefits  
•
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V  
•
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High noise immunity  
CMOS low power dissipation  
Complies with JEDEC standards:  
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•
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)  
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)  
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)  
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)  
JESD8C (2.7 V to 3.6 V)  
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•
Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)  
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II  
Overvoltage tolerant inputs to 3.6 V  
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC  
IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation  
ESD protection:  
•
•
HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 3A exceeds 5000 V  
CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V  
•
•
Multiple package options  
Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C  
 
 
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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