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MMBZ12VDL

更新时间： 2024-09-28 17:02:03

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11页	208K
描述
Double ESD protection diode for transient overvoltage suppressionProduction

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MMBZ12VDL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.59	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

MMBZ12VDL 数据手册

MMBZ12VDL

Double ESD protection diode for transient overvoltage

suppression

16 August 2023

Product data sheet

1. General description

Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a common cathode

configuration, encapsulated in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package. The device is designed for ESD and transient overvoltage protection of up to two signal

lines.

2. Features and benefits

•

Unidirectional ESD protection of two lines

•

Bidirectional ESD protection of one line

Low diode capacitance: C_d≤ 140 pF

Rated peak pulse power: P_PPM≤ 40 W

Ultra low leakage current: I_RM≤ 5 nA

ESD protection up to 30 kV (contact discharge)

IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

IEC 61643-321

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Computers and peripherals

Audio and video equipment

Cellular handsets and accessories

Automotive electronic control units

Portable electronics

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

reverse standoff

voltage

T_amb= 25 °C

8.5

C_d

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 0 V; T_amb= 25 °C

110

140

12 3 4 5 6 7...11

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