是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 最大击穿电压: | 15.75 V |
最小击穿电压: | 14.25 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 认证状态: | COMMERCIAL |
最大重复峰值反向电压: | 12 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ15VALT3G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ15VALY | ROHM |
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MMBZ15VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ15VALYFH | ROHM |
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MMBZ15VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ15VAT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ15VDA | VISHAY |
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Small Signal Zener Diodes, Dual | |
MMBZ15VDA/E9 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 12.8V V(RWM), Bidirectional, | |
MMBZ15VDA-GS08 | VISHAY |
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Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.3W, | |
MMBZ15VDA-GS18 | VISHAY |
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Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.3W, | |
MMBZ15VDA-V | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROH | |
MMBZ15VDA-V-GS08 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 12.8V V(RWM), Bidirectional, |