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MMBZ15VDL-13

更新时间： 2024-12-01 19:47:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBZ15VDL-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.36最大击穿电压：15.8 V
最小击穿电压：14.3 V配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值反向功率耗散：40 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：12.8 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MMBZ15VDL-13 数据手册

 浏览型号MMBZ15VDL-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBZ15VDL-13的Datasheet PDF文件第3页 
MMBZ15VDL, MMBZ27VCL  
40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS  
Features  
·
Dual TVS in Common Cathode Configuration  
for ESD Protection  
·
·
·
·
·
40 Watt Peak Power Dissipation @1.0ms (Unidirectional)  
225 mW Power Dissipation  
SOT-23  
Min  
A
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Low Leakage  
Dim  
Max  
A
B
C
D
E
G
H
J
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 4)  
B
C
TOP VIEW  
Mechanical Data  
·
D
G
E
Case: SOT-23  
H
·
Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
K
M
J
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
L
·
Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering Information,  
Note 6, on Page 2  
M
a
0.085 0.180  
0° 8°  
·
·
Polarity: See Diagram  
Marking: Marking Code & Date Code,  
See Page 2  
All Dimensions in mm  
·
·
Marking Code: See Table Below  
Weight: 0.008 grams (Approx.)  
@TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Pd  
PPK  
mW  
W
Power Dissipation (Note 1)  
225  
40  
Peak Power Dissipation (Note 2)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
420  
°C/W  
°C  
Tj ,TSTG  
–65 to +150  
A = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics @T  
VF = 0.9V max @ IF = 10mA (Note 3)  
Breakdown Voltage  
VC @ IPP (Note 2)  
Typical  
Temperature  
Coefficient  
IR  
@
Type  
Number  
Marking  
Code  
VRWM  
VRWM  
VBR (Note 3) (V)  
@ IT  
VC  
IPP  
TC (%/°C)  
Volts  
nA  
Min  
Nom  
Max  
mA  
V
A
MMBZ15VDL  
KVJ  
12.8  
100  
14.3  
15  
15.8  
1.0  
21.2  
1.9  
+0.080  
VF = 1.1V max @ IF = 200mA (Note 3)  
Breakdown Voltage  
VBR (Note 3) (V)  
VC @ IPP (Note 2)  
Typical  
Temperature  
Coefficient  
IR  
@
Type  
Number  
Marking  
Code  
VRWM  
VRWM  
@ IT  
VC  
IPP  
TC (%/°C)  
Volts  
nA  
Min  
Nom  
Max  
mA  
V
A
MMBZ27VCL  
KVP  
22  
50  
25.65  
27  
28.35  
1.0  
38  
1.0  
+0.090  
Note:  
1. Device mounted on FR-5 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout AP02001,  
which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. 200mW per element must not be  
exceeded.  
2. Non-repetitive current pulse per Figure 2 and derate above T = 25°C per Figure 1.  
A
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
4. No purposefully added lead.  
DS30352 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
MMBZ15VDL, MMBZ27VCL  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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