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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF640PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| IRF610PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN070-200P,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PSMN071-100NSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 81 mOhm standard level ‘ASFE |
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| PSMN072-100MSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 76 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in LFPAK33. Designed specif |
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| PSMN075-100MSE | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 71 m standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for PoE applic |
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| PSMN075-100MSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 71 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN075-100MSEX | NXP |
获取价格 |
PSMN075-100MSE - N-channel 100 V 71 mΩ standa |
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| PSMN085-150K | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN085-150K,518 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
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| PSMN0R7-25YLD | NXP |
获取价格 |
POWER, FET |
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| PSMN0R7-25YLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 25 V, 0.72 mΩ, 300 A logic level MO |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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