5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF640PBF
IRF640PBF PDF预览

IRF640PBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1710K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF640PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：0.69
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：580 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF640PBF 数据手册

 浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640PBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRF640, SiHF640  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.18  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
70  
13  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
39  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF640PbF  
SiHF640-E3  
IRF640  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF640  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
200  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
18  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
11  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
72  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
580  
18  
EAR  
13  
125  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = 18 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 18 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91036  
S-81241-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

IRF640PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF640N INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
IRF640 FAIRCHILD

功能相似

 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

与IRF640PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF640R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB
IRF640S STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
IRF640S INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRF640S NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS transistor
IRF640S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF640S MOTOROLA

获取价格

 		18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640S, SiHF640S, SiHF640L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF640SPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF640ST4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
IRF640STRL VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRF640PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证