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PSMN102-200Y,115 PDF预览

PSMN102-200Y,115

更新时间： 2024-09-15 15:48:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 68K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin

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PSMN102-200Y,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, MO-235, LFPAK-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.25雪崩能效等级（Eas）：202 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21.5 A
最大漏极电流 (ID)：21.5 A最大漏源导通电阻：0.102 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：113 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：65 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN102-200Y,115 数据手册

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PSMN102-200Y  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 01 — 29 April 2008  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using  
TrenchMOS technology.  
1.2 Features  
I Low body Qr  
I Fast switching  
1.3 Applications  
I Industrial DC motor control  
I Class D audio  
I DC-to-DC converters  
I Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
I VDS ≤ 200 V  
I ID ≤ 21.5 A  
I RDSon ≤ 102 mΩ  
I QGD = 10.1 nC (typ)  
2. Pinning information  
Table 1.  
Pin  
Pinning  
Description  
source (S)  
gate (G)  
Simplified outline  
Symbol  
1, 2, 3  
4
mb  
D
S
mb  
mounting base; connected to drain  
(D)  
G
mbb076  
1
2 3 4  
SOT669 (LFPAK)  
 
 
 
 
 
 
1234567...12

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PSMN102-200Y,115 替代型号

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