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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | 雪崩能效等级（Eas）： | 252 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQD12N20LTM | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ， |
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| IRFR13N20DTRLP | INFINEON |
功能相似 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR13N20DPBF | INFINEON |
功能相似 |
SMPS MOSFET ( VDSS=200V , RDS(on)max=0.235ヘ , |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN130-200D,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
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| PSMN130-200D/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP |
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| PSMN165-200K | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN165-200K,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
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| PSMN165-200K,518 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
|
| PSMN165-200K/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2900 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, |
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| PSMN1R0-100ASE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 packageDevelopment |
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| PSMN1R0-100ASF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 0.99 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 packageDevelopment |
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| PSMN1R0-100CSF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i packageDevelopment |
|
| PSMN1R0-25YLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 25 V, 1.0 mΩ, 240 A logic level MOS |
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