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PSMN165-200K/T3

更新时间： 2024-09-15 15:48:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	104K
描述
TRANSISTOR 2900 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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PSMN165-200K/T3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	2.9 A	最大漏源导通电阻：	0.165 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN165-200K/T3 数据手册

PSMN165-200K

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 16 January 2001

Product speciﬁcation

1. Description

SiliconMAX™¹products use the latest Philips TrenchMOS™²technology to achieve

the lowest possible on-state resistance in a SOT96-1 (SO8) package.

Product availability:

PSMN165-200K in SOT96-1 (SO8).

2. Features

■ Very low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS™ technology.

3. Applications

■ DC to DC convertor

■ Computer motherboards

■ Switch mode power supplies.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

1. SiliconMAX is a trademark of Royal Philips Electronics.

2. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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