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PSMN0R9-25YLC,115 PDF预览

PSMN0R9-25YLC,115

更新时间： 2024-09-15 21:12:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 307K
描述
PSMN0R9-25YLC - N-channel 25 V 0.99 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology SOIC 4-Pin

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PSMN0R9-25YLC,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.96其他特性：HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：342 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.00125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1563 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN0R9-25YLC,115 数据手册

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PSMN0R9-25YLC  
AK  
LFP  
N-channel 25 V 0.99 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using  
NextPower technology  
Rev. 2 — 4 July 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
High reliability Power SO8 package,  
Ultra low QG, QGD and QOSS for high  
system efficiencies at low and high  
loads  
qualified to 175°C  
Optimised for 4.5V Gate drive utilising  
NextPower Superjunction technology  
Ultra low Rdson and low parasitic  
inductance  
1.3 Applications  
DC-to-DC converters  
Lithium-ion battery protection  
Load switching  
Power OR-ing  
Server power supplies  
Sync rectifier  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
25  
V
[1]  
ID  
Tmb = 25 °C; see Figure 1  
-
100  
272  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
junction temperature  
-
W
Tj  
-55  
175 °C  
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 4.5 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 12  
-
-
0.95 1.25 mΩ  
0.75 0.99 mΩ  
V
GS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 12  
 
 
 
 
 
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