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PSMN102-200Y

更新时间： 2024-09-16 11:16:11
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 923K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction

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PSMN102-200Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：202 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：21.5 A
最大漏源导通电阻：0.102 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：65 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN102-200Y 数据手册

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PSMN102-200Y  
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET  
Rev. 03 — 16 March 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in  
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for  
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
Higher operating power due to low  
Suitable for high frequency  
applications due to fast switching  
characteristics  
thermal resistance  
1.3 Applications  
Class D amplifier  
Motion control  
DC-to-DC converters  
Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C  
-
-
-
-
-
-
200  
21.5  
113  
V
ID  
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1; see Figure 3  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 12 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 9;  
see Figure 10  
-
-
86  
102 mΩ  
on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge VGS = 10 V; ID = 12 A;  
VDS = 100 V; see Figure 11;  
see Figure 12  
10.1  
-
nC  
1234567...13

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与PSMN102-200Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN102-200Y,115 NXP

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 		N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin
PSMN130-200D NXP

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 		N-channel TrenchMOS transistor
PSMN130-200D,118 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin
PSMN130-200D/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP
PSMN165-200K NXP

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 		N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN165-200K,118 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin
PSMN165-200K,518 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin
PSMN165-200K/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 2900 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012,
PSMN1R0-100ASE NEXPERIA

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 		N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 packageDevelopment
PSMN1R0-100ASF NEXPERIA

获取价格

 		NextPower 100 V, 0.99 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 packageDevelopment

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