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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | PLASTIC, MS-012, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.16 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN165-200K,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
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| PSMN165-200K,518 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
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| PSMN165-200K/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 2900 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, |
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| PSMN1R0-100ASE | NEXPERIA |
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N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 packageDevelopment |
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| PSMN1R0-100ASF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 0.99 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 packageDevelopment |
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| PSMN1R0-100CSF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i packageDevelopment |
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| PSMN1R0-25YLD | NEXPERIA |
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N-channel 25 V, 1.0 mΩ, 240 A logic level MOS |
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| PSMN1R0-30YLC | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in |
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| PSMN1R0-30YLC | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in |
|
| PSMN1R0-30YLC_11 | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in |
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