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PSMN0R9-30YLD

更新时间： 2024-09-16 11:13:11
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 717K
描述
N-channel 30 V, 0.87 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction

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PSMN0R9-30YLD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：2987 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：300 A
最大漏源导通电阻：0.00109 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1800 A参考标准：IEC-60134
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN0R9-30YLD 数据手册

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PSMN0R9-30YLD  
N-channel 30 V, 0.87 mΩ, 300 A logic level MOSFET in  
LFPAK56 using NextPowerS3 Technology  
14 December 2015  
Product data sheet  
1. General description  
300 Amp Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56  
package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology  
delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs  
with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage  
current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high  
switching frequencies.  
2. Features and benefits  
300 Amp capability  
•
•
•
Avalanche rated, 100 % tested at I(as) = 190 Amps  
Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching  
frequencies  
Superfast switching with soft-recovery; s-factor > 1  
Low spiking and ringing for low EMI designs  
Unique “SchottkyPlus” technology; Schottky-like performance with < 1 µA leakage at  
25 °C  
•
•
•
Optimised for 4.5 V gate drive  
Low parasitic inductance and resistance  
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package; no glue, no  
wire bonds, qualified to 150 °C  
•
•
•
Wave solderable; exposed leads for optimal visual solder inspection  
•
3. Applications  
On-board DC-to-DC solutions for server and telecommunications  
Secondary-side synchronous rectification in telecommunication applications  
Voltage regulator modules (VRM)  
Point-of-Load (POL) modules  
Power delivery for V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA and system components  
Brushed and brushless motor control  
•
•
•
•
•
•
•
Power OR-ing  
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDS  
drain-source voltage  
25 °C ≤ Tj ≤ 150 °C  
-
-
30  
V
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PSMN102-200Y NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET
PSMN102-200Y NEXPERIA

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