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PSMN0R9-25YLD

更新时间： 2024-09-16 11:16:11

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	726K
描述
N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction

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PSMN0R9-25YLD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	3343 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	300 A
最大漏源导通电阻：	0.0012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1614 A
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN0R9-25YLD 数据手册

PSMN0R9-25YLD

N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in

LFPAK56 using NextPowerS3 Technology

27 April 2016

Product data sheet

1. General description

Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package.

NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology delivers

high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an

integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current.

NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching

frequencies.

2. Features and benefits

100% Avalanche tested at I_(AS)= 190 A

•

Ultra low Q_G, Q_GDand Q_OSSfor high system efficiency, especially at higher switching

frequencies

Superfast switching with soft-recovery

•

Low spiking and ringing for low EMI designs

Unique “SchottkyPlus” technology; Schottky-like performance with < 1 µA leakage at

25 °C

Optimised for 4.5 V gate drive

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package; no glue, no

wire bonds, qualified to 175 °C

•

Wave solderable; exposed leads for optimal visual solder inspection

•

3. Applications

On-board DC:DC solutions for server and telecommunications

Secondary-side synchronous rectification in telecommunication applications

Voltage regulator modules (VRM)

Point-of-Load (POL) modules

Power delivery for V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA and system components

Brushed and brushless motor control

•

Power OR-ing

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C; Fig. 2

[1]

300

12 3 4 5 6 7...13

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与PSMN0R9-25YLD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN0R9-30ULD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 0.87 mOhm, 300 A level Application Specific MOSFET in SOT1023A enhanced pa
PSMN0R9-30YLD	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
PSMN0R9-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 0.87 mΩ, 300 A logic level MO
PSMN102-200Y	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
PSMN102-200Y	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
PSMN102-200Y,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin
PSMN130-200D	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN130-200D,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin
PSMN130-200D/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP
PSMN165-200K	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor

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