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FQB34N20LTM PDF预览

FQB34N20LTM

更新时间： 2024-11-01 13:07:51
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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9页 761K
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FQB34N20LTM 数据手册

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FQB34N20LTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS31N20DPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma
IRFS23N20DPBF INFINEON

功能相似

 SMPS MOSFET
STB30NF20 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247

与FQB34N20LTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB34N20TM_AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB34N20TM-AM002 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，31 A，75 mΩ，D2PAK
FQB34P10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V P-Channel MOSFET
FQB34P10_13 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel QFET MOSFET
FQB34P10TM FAIRCHILD

获取价格

 		100V P-Channel MOSFET
FQB34P10TM ONSEMI

获取价格

 		P 沟道 QFET® MOSFET -100V，-33.5A，60mΩ
FQB34P10TM-F085 FAIRCHILD

获取价格

 		-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = -10 V
FQB3N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQB3N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQB3N30TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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