5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS31N20DPBF
IRFS31N20DPBF PDF预览

IRFS31N20DPBF

更新时间： 2024-02-09 20:43:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 292K
描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFS31N20DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.75
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：1

IRFS31N20DPBF 数据手册

 浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFS31N20DPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94946  
IRFB31N20DPbF  
IRFS31N20DPbF  
IRFSL31N20DPbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC converters  
l Lead-Free  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
200V  
0.082Ω  
31A  
Benefits  
l Low Gate to Drain to Reduce Switching  
Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design,(See  
AN 1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFSL31N20DPbF  
IRFB31N20DPbF IRFS31N20DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
31  
21  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
124  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.1  
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
2.1  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Applicable Off Line SMPS Topologies  
l Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter  
Notes  through † are on page 11  
www.irf.com  
1
3/1/04  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRFS31N20DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS31N20DTRLP INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS23N20DTRLP INFINEON

类似代替

 High frequency DC-DC converters
IRFS23N20DPBF INFINEON

类似代替

 SMPS MOSFET

与IRFS31N20DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS31N20DTRL INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFS31N20DTRLP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS31N20DTRR INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFS31N20DTRRP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206 INFINEON

获取价格

 		60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3206PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3206TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3207PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET

与IRFS31N20DPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证