Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS31N20DPBF

IRFS31N20DPBF

更新时间： 2024-11-24 04:23:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
12页	292K
描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )

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IRFS31N20DPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.56
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	31 A
最大漏极电流 (ID)：	31 A	最大漏源导通电阻：	0.082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS31N20DPBF 数据手册

PD - 94946

IRFB31N20DPbF

IRFS31N20DPbF

IRFSL31N20DPbF

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency DC-DC converters

l Lead-Free

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

200V

0.082Ω

31A

Benefits

l Low Gate to Drain to Reduce Switching

Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective COSS to Simplify Design,(See

AN 1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRFSL31N20DPbF

IRFB31N20DPbF IRFS31N20DPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

124

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.1

Power Dissipation

200

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

2.1

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Applicable Off Line SMPS Topologies

l Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter

Notes through are on page 11

www.irf.com

3/1/04

12 3 4 5 6 7...12

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IRFS31N20DPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS31N20DTRLP	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS23N20DTRLP	INFINEON	类似代替	High frequency DC-DC converters
IRFS23N20DPBF	INFINEON	类似代替	SMPS MOSFET

与IRFS31N20DPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS31N20DTRL	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-263AB
IRFS31N20DTRLP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS31N20DTRR	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-263AB
IRFS31N20DTRRP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206	INFINEON	获取价格	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3206PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS3206TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS3207PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET

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