5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.55 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFS23N20DTRLP | INFINEON |
完全替代  |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFS31N20DTRLP | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS31N20DPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS23N20DPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFS23N20DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFS23N20DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFS23N20DTRRP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFS240 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
|
| IRFS240A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET (200V, 0.18ohm, 12.8A) |
|
| IRFS240B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS240B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFS241 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
|
| IRFS242 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
