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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS254A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS254B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS254B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFS3004 | INFINEON |
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40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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| IRFS3004-7P | INFINEON |
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40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
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| IRFS3004-7PPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004TRL-7P | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRFS3004TRL7PP | INFINEON |
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High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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| IRFS3004TRL-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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