5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS254A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS254B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS254B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IRFS3004 | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
|
| IRFS3004-7P | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
|
| IRFS3004-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS3004PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS3004TRL-7P | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFS3004TRL7PP | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
|
| IRFS3004TRL-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
